一·雙管區(qū)熔爐 焊接和測量液體中的擴散率等 設備用途:
提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料;
區(qū)熔致勻(使一種欲摻入的雜質十分均勻地分布在整個單晶體中)
焊接和測量液體中的擴散率等。
二·雙管區(qū)熔爐 焊接和測量液體中的擴散率等 優(yōu)點:
1·區(qū)熔加熱爐采用往復區(qū)熔的方式,閉環(huán)溫度控制,可靠的控制熔區(qū)的寬度問題;生長室的設計成功解 決生長室的污染問題,
2·將加熱及保溫材料均設置在生長腔室外部,采用高純石英作為腔室,同時抽真空;將流動高純氫氣通 入腔室,去除腔室中的微量氧,解決氧化的問題;
3·開發(fā)高柔性的控制軟件,采用觸摸屏進行操作,任意設置區(qū)熔的溫度,區(qū)熔的速度及次數。
三·主要技術參數
最高加熱溫度: 1200℃ 使用溫度:500-1100℃
設備功率: ≤35Kw±10% 三相380v 50Hz(三相五線制)
感應電源功率: 20Kw±10% 三相380v 50Hz(三相五線制)頻率≥400kHz。
紅外加熱功率: 2kw*2(暫定)
冷態(tài)極限真空度: ≤5×10-4Pa
石墨舟尺寸: Ф70*200mm(外徑*長度,半圓柱)
石英管(腔室)尺寸: ¢90*1500(根據實際情況做調整)
加熱方式: 高頻感應加熱
9·區(qū)熔行程及速度: 位移行程 ≦1200mm
慢速:0.1-10mm/h(伺服控制)精度0.01mm
快速:200mm/min(伺服控制)(空走或者后退)
10.爐內充氣壓力: ≤0.03MPa(氬氣)
11·充氣系統: 自動充放氣
12.區(qū)熔溫區(qū): 2溫區(qū)
13.石英管法蘭連接方式:真空水冷密封法蘭形式,留KF25真空接口,法蘭材質304不銹鋼
14.控制方式:觸摸屏+plc